• SoC设计与验证

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    PTM

    功率器件及电源芯片设计验证

    Rdson提取 Gate Delay剖析 电热剖析

    PTM是应用于功率器件和电源芯片的设计剖析套件,已被国际众多功率器件厂商认可和接纳。它不仅可以高精度提取Rdson,还可以验证器件的开关行为,确保产物的可靠性和寿命。

    • 接纳基于界线的3D求解器,精准优化功率晶体管阵列中的导通电阻(Rdson)和Gate Delay。

    • 检查并优化电流密度“热门”,检查电迁徙违规。

    • 优化国界结构和pad放置,检测缺失的通孔和金属电流拥挤。

    • 将协同设计扩展到芯片、封装和PCB情形,确保芯片电路更优电热性能。

    • 集成易用的效果审查器,使剖面剖析陈诉和场视图清晰易懂。

    下载产物单页

    产物亮点

    • 精准

      高精度参数提取和优化

    • 视图富厚

      2D视图、求解器视图和场视图

    • 结构优化

      剖析Pad、Via位置

    • 可靠性

      剖析电迁徙、过热故障等隐患

    • 动态剖析

      基于仿真的瞬态电热剖析

    • 开关剖析

      提升开关频率

    产物应用

    • 功率器件
      设计剖析
      (IGBT)

    • 车规芯片
      设计剖析

    • 电源芯片
      设计剖析(PMIC/
      DC-DC转换器等)

    • 数模混淆
      信号芯片
      设计剖析

    • 协同优化
      系统电热性能
      (Chip/Package/PCB)

    • 高压氮化镓
      功率器件
      设计剖析

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